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拓荊科技半年?duì)I收同比大增54%,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)昨日獲資金加倉(cāng)超4100萬(wàn)元

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2025-08-26 10:12:28

截至2025年8月26日 10點(diǎn)00,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.42%。成分股方面漲跌互現(xiàn),安集科技領(lǐng)漲3.32%,耐科裝備上漲1.38%,華峰測(cè)控上漲1.15%;京儀裝備領(lǐng)跌5.01%,神工股份下跌4.07%,芯源微下跌2.93%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF下跌0.99%,最新報(bào)價(jià)1.2元。拉長(zhǎng)時(shí)間看,截至2025年8月25日,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近1周累計(jì)上漲7.80%。流動(dòng)性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤(pán)中換手5.3%,成交2353.75萬(wàn)元。昨日,科創(chuàng)半導(dǎo)體獲得資金流入超4100萬(wàn)元,規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近3月規(guī)模增長(zhǎng)1.87億元,實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。份額方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近3月份額增長(zhǎng)1.00億份,實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

消息面上,拓荊科技8月25日公布2025年半年度報(bào)告。財(cái)報(bào)顯示,拓荊科技2025年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入19.54億元,同比增長(zhǎng)54.25%;歸母凈利潤(rùn)0.94億元,同比下降26.96%;歸母扣非凈利潤(rùn)0.38億元,同比增長(zhǎng)91.35%。關(guān)于收入變化,拓荊科技在公告中表示,公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)提升,先進(jìn)制程的驗(yàn)證機(jī)臺(tái)已順利通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證,逐步進(jìn)入規(guī)模化量產(chǎn)階段。基于新型設(shè)備平臺(tái)和新型反應(yīng)腔的PECVD Stack、ACHM及PECVD Bianca等先進(jìn)工藝設(shè)備陸續(xù)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)收,量產(chǎn)規(guī)模不斷增加,ALD設(shè)備持續(xù)擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模,業(yè)務(wù)增長(zhǎng)強(qiáng)勁。

浙商證券認(rèn)為,半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石,在A(yíng)I浪潮引領(lǐng)下,芯片庫(kù)存周期、國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)周期、海外管制趨嚴(yán)背景下的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化訴求有望實(shí)現(xiàn)三重共振,推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備板塊業(yè)績(jī)超預(yù)期。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)馬太效應(yīng)極強(qiáng),建議一方面把握住龍頭企業(yè)的成長(zhǎng)確定性,一方面可以關(guān)注國(guó)產(chǎn)化率較低,成長(zhǎng)空間較大的細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)。核心受益環(huán)節(jié)包括半導(dǎo)體前后道設(shè)備、設(shè)備零部件企業(yè)。

相關(guān)ETF:公開(kāi)信息顯示,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類(lèi):024417;C類(lèi):024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備(59%)和半導(dǎo)體材料(25%)細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF(562590)及其聯(lián)接基金(A類(lèi):020356、C類(lèi):020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(59%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。

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